刘德音：台积电3nm及未来主要制程节点如期推出

　　【IT技术网新闻】台积电董事长刘德音近日受邀于2021年国际固态电路会议（ISSCC 2021）开场线上专题演说时指出，台积电3nm制程依计划推进，甚至比预期还超前了一些。3nm及未来主要制程节点将如期推出并进入生产。台积电3nm制程预计今年下半年试产，明年下半年进入量产。

　　刘德音指出半导体制程微缩脚步并未减缓，摩尔定律仍然有效，台积电3nm比预期进度超前，至于2nm之后的电晶体架构将转向环绕闸极（GAA）的nm片（nano-sheet）架构，而极紫外光（EUV）技术可支持到1nm。

　　台积电2020年推出5nm制程并进入量产，与7nm相较，逻辑密度提升1.83倍，运算速度增加13％，运算功耗下降21％。台积电预计2022年推出3nm制程，与5nm相较逻辑密度提升1.7倍，运算速度提升11％且运算功耗可减少27％。

　　台积电日前宣布将在日本成立研发中心扩展3D IC材料研究，刘德音也提及台积电在新材料上的技术创新，包括六方氮化硼（hBN）已接近实现量产。他强调，系统整合是半导体未来发展方向，Chiplet（小芯片）是能让技术朝向正确方向发展的关键，而台积电的SoIC先进封装技术可实现3D芯片堆迭。